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[主观题]

请简要写出高频电感耦合等离子炬(ICP)光源的工作原理。

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第1题

简述电感耦合高频等离子焰炬的特点?
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第2题

ICP就是电感耦合等离子体发射光谱仪。()

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第3题

等离子弧切割设备控制箱中的高频振荡器的作用是用来引弧的,等离子割炬接通小气流后,在钨极极与喷嘴间加上一个较低电压,当把高频加在钨极与喷嘴之间时,便引燃了电极与喷嘴间的小电弧。()
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第4题

常见的质谱联用技术()

A.飞行时间/轨道离子阱分析器

B.GC-MS 气相色谱-串联质谱

C.LC-MS/MS 液相色谱-串联质谱

D.基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱

E.ICP-MS 电感耦合等离子体质谱

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第5题

在下列几种常用的原子发射光谱激发光源中,分析灵敏度最高,稳定性能最好的是哪种()?

A.直流电弧

B.高频电感耦合等离子体

C.电火花

D.交流电弧

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第6题

为了形成稳定的ICP炬焰(即点火)需要哪四个条件?
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第7题

简要回答下列问题: (1)拟将下列离子转化为碳酸正盐,试说明怎样选择沉淀剂,并写出反应方程式:
简要回答下列问题: (1)拟将下列离子转化为碳酸正盐,试说明怎样选择沉淀剂,并写出反应方程式:

简要回答下列问题:

(1)拟将下列离子转化为碳酸正盐,试说明怎样选择沉淀剂,并写出反应方程式:

(2)从二氧化硅氯化制备SiCl4,需要和焦炭共热进行反应的耦合:

而用HF对二氧化硅进行氟化制备SiF4则不需要反应的耦合:

(3)Pb与稀盐酸反应,速率很慢且反应会停止;但与浓盐酸作用时,反应容易进行。试给出合理解释。

(4)从H3BO3显酸性的机理去说明为什么H3BO3是一元弱酸。

(5)试解释下列无机含氧酸的氧化性由强到弱的原因:

HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3

(6)为什么硅不与氧化性酸反应,但又可溶于HNO3及HF混合溶液中?

(7)用平面图示的方法表示单聚硅酸根SiO44-,焦硅酸根Si2O74-,链三聚硅酸根和环六聚硅酸根。写出链n聚和环n聚多硅酸根的化学式。

(8)画简图表示乙硼烷的结构,并说明其中3中心2电子键的形成过程。

(9)硼砂Na2[B4O5(OH)4]·8H2O是四硼酸的钠盐。试说明通常将硼砂的化学式写成Na2B4O7原因。为什么硼砂溶于水形成缓冲溶液?试计算其pH。

(10)三氟化硼分子是单聚体BF3,同样属于缺电子结构的乙硼烷分子却是B2H6。或者说是二聚的BH3。从结构角度如何解释这种现象?

(11)BiI5和PbI4均不能稳定存在,却有TU3存在,试说明其原因。

(12)试比较乙硼烷、烷烃、甲硅烷三者的热稳定性,写出其受热分解的化学反应方程式。

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第8题

增大等离子弧切炬的喷嘴孔径和钨极直径可增加()。

A.切割的工件厚度

B.工作电压

C.工作效率

D.切割功率

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第9题

高频保护通道的总衰耗包括输电线路衰耗、()等。
高频保护通道的总衰耗包括输电线路衰耗、()等。

A.阻波器分流衰耗

B.结合滤波器衰耗

C.耦合电容器衰耗

D.高频电缆衰耗

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第10题

写出下列电子元件的电子学符号:电阻:(),二极管:(),电容:(),电感:()
写出下列电子元件的电子学符号:电阻:(),二极管:(),电容:(),电感:()

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第11题

请简要写出MDEA脱碳原理(化学方程式)、MDEA溶液发泡原因及处理措施?
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