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[单选题]

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加()

A.Na,K,尤其是K

B.a,Cl,尤其是Ca

C.Na,Cl,尤其是Na

D.K,Cl,尤其是Cl

E.K,Ca,Na,尤其是Ca

答案

D、K,Cl,尤其是Cl

解析:抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对CL(为主)和K的通透性升高引起CL的内流和K的外流使膜内负电位更负引进突触后神经元产生抑制

更多“抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加()”相关的问题

第1题

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A.是局部去极化电位

B.具有“全或无”性质

C.是局部超极化电位

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致

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第2题

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()

A.K+ 、Cl-尤其是 K+

B.Na+ 、Cl-尤其是 Na+

C.K+ 、Cl-,尤其是 Cl-

D.a2+、Cl-,尤其是 Ca2+

E.Na+ 、Cl-,尤其是 Cl-

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第3题

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()

A.Na+、C1-、K+,尤其是K+

B.Ca2+、K+、C1-,尤其是Ca2+

C.Na+、K+,尤其是Na+

D.C1-和K+、主要是CI-

E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

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第4题

抑制性突触后电位(IPSP)是由于突触后膜对离子的通透性增加,该离子指的是()

A.Na+

B.Mg2+

C.K+

D.Cl-

E.Ca2+

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第5题

抑制性突触后电位的产生主要与下列哪种离子跨突触后膜内流有关()

A.a2+

B.Na +

C.K +

D.l-

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第6题

对抑制性突触后电位的描述,正确的是()

A.由突触前末梢递质释放减少而产生

B.使突触后膜电位远离阈电位水平

C.由突触后膜Na+电导增加而产生

D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.是一种去极化抑制的突触后电位

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第7题

抑制性突触后电位产生,是由于突触后膜提高了对()的通透性。

A.钾、钠、氯离子,尤其是钾离子

B.钾、钠、氯离子,尤其是钠离子

C.钙、钾、氯离子,尤其是钾离

D.钾、氯离子,尤其是氯离子

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第8题

抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了__的通透性()

A.氯离子

B.钙离子

C.钠离子

D.镁离子

E.氢离子

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第9题

关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的()

A.a2+由膜外进入突触前膜内

B.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

C.突触前末梢去极化

D.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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第10题

突触前抑制时,与突触活动有关的变化是()

A.突触前膜超级化

B.突触前膜不释放神经递质

C.兴奋性突触后电位减小

D.抑制性突触后电位增大

E.到达轴突末梢的兴奋减少

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第11题

下列关于突触信号传递的说法中错误的是()

A.突触后膜上的乙酰胆碱受体具有专一性

B.突触后膜去极化后形成的小电位能迅速传导

C.电位只有达到一定阈值才会在肌膜引发动作电位

D.肌膜上的神经冲动传导到肌纤维内部时引起肌肉收缩

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