题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（）。
A.在绝缘体中，电子填满了所有的能带
B.在0K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
C.半导体中禁带宽度比较大
D.绝缘体的禁带宽度比较小
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（请给出正确答案）
A.在绝缘体中，电子填满了所有的能带
B.在0K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的
C.半导体中禁带宽度比较大
D.绝缘体的禁带宽度比较小
答案
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第1题
A.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料
B.硅是非金属元素，但它的单质具有金属光泽
C.二氧化硅的化学性质不活泼，常温下难与盐酸起反应
D.自然界中存在大量单质硅，其含量仅次于氧
第2题
A.硅是非金属元素，但它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料
C.在常温下，硅的化学性质活泼
D.硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料
第11题
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
