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下列说法不正确的是()。
A.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,是良好的半导体材料
B.硅是非金属元素,但它的单质具有金属光泽
C.二氧化硅的化学性质不活泼,常温下难与盐酸起反应
D.自然界中存在大量单质硅,其含量仅次于氧
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A.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,是良好的半导体材料
B.硅是非金属元素,但它的单质具有金属光泽
C.二氧化硅的化学性质不活泼,常温下难与盐酸起反应
D.自然界中存在大量单质硅,其含量仅次于氧
第3题
水的导电性能与水的纯度有关。下列说法正确的是_____。
A.纯净水为良导体
B.杂质越少,电阻率越小,导电性能越大
C.杂质越多,电阻率越小,导电性能越大
D.杂质越多,电阻率越大,导电性能越大
第4题
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
第5题
A.校门口安装了全新电子测温装置,电子测温装置的电线主要利用了金属丝的导电性
B.食堂对用过的餐具进行高温蒸煮消毒过程中,餐具的质量不变
C.测体温用的水银体温计制作原理是由于水银的比热容比水小
D.中午放学后及时对教室进行消毒,因为中午温度高,消毒水扩散得快
第6题
A.扩散是微观离子的一种热运动方式,运动结果使浓度分布趋于均匀
B.间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动为间隙式扩散
C.以间隙形式存在于硅中的杂质,主要是那些半径较小的杂质原子
第7题
A.在溶液中加入一定量的KNO3溶液,难溶电解质溶解度增加
B.当某条件下IP=Ksp时,表示溶液是饱和的,沉淀和溶解达到动态平衡
C.在溶液中加入少量的NaCl溶液,可使溶解度减少
D.根据溶度积规则,沉淀生成条件是IP>Ksp
E.一定温度下,对于不同类型的难溶电解质来说,Ksp越大,溶解度越大
F.难溶性电解质在水溶液中都无法解离G、AgCl水溶液的导电性很弱,所以AgCl为弱电解质
第10题
对“碳纳米管”性能的理解,不正确的一项是:
A.“碳纳米管”具有金属的性质,但其韧度远远地高于金属。
B.“碳纳米管”具有半导体的性质,有着导电性能极强的特点。
C.“碳纳米管”比重小,钢的比重是它的6倍。
D.“碳纳米管”作为石墨、金刚石家族中的一员,其韧性和导电性是很强的。