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[主观题]

图1-12(a)所示为双向限幅电路,已知二极管参数VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试:

图1-12(a)所示为双向限幅电路,已知二极管参数VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试:

图1-12(a)所示为双向限幅电路,已知二极管参数VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试:图1-图1-12(a)所示为双向限幅电路,已知二极管参数VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试:图1-

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更多“图1-12(a)所示为双向限幅电路,已知二极管参数VD(on)=0.7V,RD=100Ω,试:”相关的问题

第1题

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

图3-21

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第2题

JK触发器组成图3.3(a)所示电路.试分析电路的逻辑功能.已知电路CLK和A的输入波形如图3.3(b)所示

JK触发器组成图3.3(a)所示电路.试分析电路的逻辑功能.已知电路CLK和A的输入波形如图3.3(b)所示.设Q输出初态为0,画出Q的波形.

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第3题

在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频

在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频电压传递函数的表示式.

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第4题

电路如题图5-5所示,电压源均为正弦电压,已知图(a)中电压表读数为V1:30V,V2:60V;图(b)

电路如题图5-5所示,电压源均为正弦电压,已知图(a)中电压表读数为V1:30V,V2:60V;图(b)中的V1:15V,V2:80V,V3:100V。求电源电压Us

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第5题

在图LT6-15所示电路中,已知VIO=3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求∆v
O值。

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第6题

题2.3图所示RC电路中,已知R=1Ω,C=0.5F,电容的初始状态uc(0-)=-1V,试求激励电压源us(t)为下列函数时电容电压

题2.3图所示RC电路中,已知R=1Ω,C=0.5F,电容的初始状态uc(0-)=-1V,试求激励电压源us(t)为下列函数时电容电压的全响应uc(t)。

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第7题

(武汉大学2008年考研试题)在图7一29(a)所示电路中,N为线性无源电阻网络,已知iS=ε(t)A,L=2H,其零

(武汉大学2008年考研试题)在图7一29(a)所示电路中,N为线性无源电阻网络,已知iS=ε(t)A,L=2H,其零状态响应为:u(t)=0.625一O.125e一0.5tε(t)V。若将图7一29(a)所示电路中的电感换成C=2F的电容,如图7一29(b)所示,试用时域分析法求此图中的u(t)。

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第8题

在图P4.9所示电路中,已知T1~T3管的特性完全相同,β>>2;反相输入端的输入电流为iI1,
同相输入端的输入电流为iI2.试问:

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第9题

在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第10题

若作用于图题2-19所示电阻电路的电压源u(t)的波形为如图中所示的周期性方波,试求流过R5
若作用于图题2-19所示电阻电路的电压源u(t)的波形为如图中所示的周期性方波,试求流过R5

电流i(t)。已知R1=R2=R3=R4=1Ω,R5=2Ω。

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第11题

在图NPS1-12(a)所示降压-升压型斩波器电路中,已知V1=5V,L1=10mH,CL=100μF,RL
在图NPS1-12(a)所示降压-升压型斩波器电路中,已知V1=5V,L1=10mH,CL=100μF,RL

=1kΩ,二极管D为D1N3891,开关S的工作频率为20kHz,试求占空比分别为d1=0.2和d2=0.8时,在时间段99.5-100.0ms内的输出电压值。若将L1的值分别改为1000mH和1mH,再记录上述时间段内d1=0.2时的输出电压值。

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