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(请给出正确答案)
[主观题]
在图LT6-15所示电路中,已知VIO=3mV,IIO=20x10-9A,运放其余参数为理想值,试求∆v
O值。
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第4题
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频电压传递函数的表示式.
第5题
在题11.2图所示的整流滤波电路中,已知U2=20V,求下列情况下A、B两点间的电压:(1)电路电路正常工作;(2)电容C开路;(3)负载RL开路;(4)二极管D1开路。
第6题
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
第7题
=90μA.试求T5、T6、T9各管的沟道宽长比.设器件的均相同,沟道长度调制效应忽略不计.
第8题
在图P5.7(b)所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe=1kΩ,则C1:C2=?若C1与C2所在回路的时间常数均为25ms,则C1、C2各为多少?下限频率fL=?
P5.7
第11题
图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:
(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.
(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.