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题目内容
（请给出正确答案）
A.使薄膜的介电常数变大
B.可能引入杂质
C.可能使薄膜层间短路
D.使薄膜介电常数变小
E.可能使薄膜厚度增加
答案
更多“在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则()。”相关的问题
第1题
不是炭化的目的是（）
A.防止在灼烧时，因温度高试样中的水分急剧蒸发使试样飞扬
B.防止糖、蛋白质、淀粉等易发泡膨胀的物质在高温下发泡膨胀而溢出坩埚
C.缩短灰化时间
D.防止碳粒易被包住，灰化不完全
第4题
第5题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第6题
A、10307.5nm
B、1472.5nm
C、5153.8nm
D、2945.0nm
第11题
离散分布和连续分布之间的主要的差异是：
A.其中一个是不合理的概率分布；
B.连续分布总是左右对称，但是离散分布不是；
C.连续分布描述事件发生可能性的任何可能值的分布范围，与此相反，如果一个变量在一个区间上只能以特定的值来表示，那么，它就是离散的；
D.连续分布只模拟有限的随机变量，而离散分布可以模拟任何变量。
