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[主观题]

什么是光刻，光刻系统的主要指标有哪些？

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发布时间：2023-01-16

更多“什么是光刻，光刻系统的主要指标有哪些？”相关的问题

第1题

光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和（)。

A.对位控制

B.分辨率控制

C.粘附性控制

D.灵敏度控制

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第2题

X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点?

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第3题

在光刻技术中为何显影后必须进行检查？检查的内容有哪些？

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第4题

根据曝光时所用的光源不同，光刻可分为光学光刻法，电子束光刻法，离子束光刻法和X射线光刻法。（)

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第5题

光固化成型（SLA)技术，又被称为立体光刻成型技术。（)

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第6题

调速系统动态特性的主要指标有哪些？

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第7题

常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、去胶等。

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第8题

制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。（）

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第9题

来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。()

来料产品要求盲封的,检验时需将晶圆边缘光刻不足芯片剔除。（)

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第10题

设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、反刻铝电极等六次光刻。

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第11题

双晶缝合线在钻石晶体表面或抛光刻面上主要表现为（)。

A.直线

B.折线

C.弯曲线

D.直线或简单折线

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