下列关于硅的说法不正确的是()。
A.硅是非金属元素,但它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,是良好的半导体材料
C.在常温下,硅的化学性质活泼
D.硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料
A.硅是非金属元素,但它的单质是灰黑色有金属光泽的固体
B.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,是良好的半导体材料
C.在常温下,硅的化学性质活泼
D.硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料
第1题
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
第3题
A.冠道2.0T车型采用硅基气体流量传感器,通过传感器芯片测定温差,从而计算空气流量
B.可对应吸气的脉动效应,测量进气流量
C.系统启动时能更快速地作出反应,提升进气量的测量精度
D.可以降低耗电量
第5题
A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第7题
A.扩散是微观离子的一种热运动方式,运动结果使浓度分布趋于均匀
B.间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动为间隙式扩散
C.以间隙形式存在于硅中的杂质,主要是那些半径较小的杂质原子
第9题
A.晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门、阴极间正向电压是否存在,晶闸管都保持导通
B.晶闸管属于全控型器件
C.晶闸管是三端器件,具有门极G、阳极A和阴极K
D.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的有螺栓型、平板型、模块型三种