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硅氧复合阴离子中结构最复杂的是正硅酸根离子。以上说法是否正确（）
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第1题
简要回答下列问题：
(1)拟将下列离子转化为碳酸正盐，试说明怎样选择沉淀剂，并写出反应方程式：
(2)从二氧化硅氯化制备SiCl4，需要和焦炭共热进行反应的耦合：
而用HF对二氧化硅进行氟化制备SiF4则不需要反应的耦合：
(3)Pb与稀盐酸反应，速率很慢且反应会停止;但与浓盐酸作用时，反应容易进行。试给出合理解释。
(4)从H3BO3显酸性的机理去说明为什么H3BO3是一元弱酸。
(5)试解释下列无机含氧酸的氧化性由强到弱的原因：
HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3
(6)为什么硅不与氧化性酸反应，但又可溶于HNO3及HF混合溶液中？
(7)用平面图示的方法表示单聚硅酸根SiO44-，焦硅酸根Si2O74-，链三聚硅酸根和环六聚硅酸根。写出链n聚和环n聚多硅酸根的化学式。
(8)画简图表示乙硼烷的结构，并说明其中3中心2电子键的形成过程。
(9)硼砂Na2[B4O5(OH)4]·8H2O是四硼酸的钠盐。试说明通常将硼砂的化学式写成Na2B4O7原因。为什么硼砂溶于水形成缓冲溶液？试计算其pH。
(10)三氟化硼分子是单聚体BF3，同样属于缺电子结构的乙硼烷分子却是B2H6。或者说是二聚的BH3。从结构角度如何解释这种现象？
(11)BiI5和PbI4均不能稳定存在，却有TU3存在，试说明其原因。
(12)试比较乙硼烷、烷烃、甲硅烷三者的热稳定性，写出其受热分解的化学反应方程式。
第2题
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下，硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶的电子，其有效质量为负
