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[主观题]

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

为V_DD=V_SS=5V，R_g=500千欧，R_L=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益A_g=v₀/v₁和输出电阻R₀。

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路

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发布时间：2022-09-24

更多“源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路参数”相关的问题

第1题

将电压源v_n转换为电流源i_L驱动线圈Z_L的电压-电流转换器，如图题2.3.8所示。求i_L

/v_n表达式。(注：电路中为使i_L独立于Z_L，设

)

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第2题

电路如图2-19所示,已知试求各电流源.电压源元件的功率.并说明它们是电源还是负载。

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第3题

题5.12图（a)所示电路中，i（0)=0，输入电压波形如图（b)所示，求i（t)。

题5.12图(a)所示电路中，i(0)=0，输入电压波形如图(b)所示，求i(t)。

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第4题

电路如图题9.6.1所示，试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡，哪个不能，并简述理由。

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第5题

在共基放大电路的基极接入电阻R_B,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r

在共基放大电路的基极接入电阻R_B,其交流通路如图LP4-19（a)所示,试画出交流等效电路,若r_{ce忽略不计,试求输入电阻R₁、输出电阻R₀、电流增益Af和源电压增益A_υ.表达式.}

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第6题

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流i_D的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

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第7题

在图P9.19的施密特触发电路中，若将输入端V_CO经10kΩ电阻接地，如图中所示，试求电路的V_T+、V

_T-和∆V_T。图9.5.1中的比较器Compl和Comp2的输入电流可忽略不计。

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第8题

在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知I_Q=100μA,C_ϕ=2pF,试求BW_G、S_R,将它接成

在图LP6-25（a)所示集成运放电路中,已知I_Q=100μA,C_ϕ=2pF,试求BW_G、S_R,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为V_S的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第9题

低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的I_D和v₀(V_D=0.7

低压稳压电路如图题3.4.15所示。（1)利用碓二极管恒压降模型求电路的I_D和v₀（V_D=0.7

V);(2)在室温(300K)情况下，利用二极管的小信号模型求v₀的变化范围。

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第10题

电路如图题3.4.7所示，D₁、D₂为硅二极管，当v_N=6sinwtV时，试用恒压降模型分析电路，绘

出输出电压v₀的波形。

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第11题

在题图E6-31所示的源极输出器中，已知U_DD=12V，Rs=12kΩ，R_G1=1MΩ，R_G2=500kΩ，R_G=

1MΩ。试求静态值、电压放大倍数AM、输入电阻r₁和输出电阻r₀。设Vs≈Vc，gm=0.9mA/V。

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