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（请给出正确答案）
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
答案
更多“在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温（300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度”相关的问题
第1题
A.硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B.硅中掺有元素杂质硼、铝（Al）
C.砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
第6题
简要回答下列问题：
(1)拟将下列离子转化为碳酸正盐，试说明怎样选择沉淀剂，并写出反应方程式：
(2)从二氧化硅氯化制备SiCl4，需要和焦炭共热进行反应的耦合：
而用HF对二氧化硅进行氟化制备SiF4则不需要反应的耦合：
(3)Pb与稀盐酸反应，速率很慢且反应会停止;但与浓盐酸作用时，反应容易进行。试给出合理解释。
(4)从H3BO3显酸性的机理去说明为什么H3BO3是一元弱酸。
(5)试解释下列无机含氧酸的氧化性由强到弱的原因：
HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3
(6)为什么硅不与氧化性酸反应，但又可溶于HNO3及HF混合溶液中？
(7)用平面图示的方法表示单聚硅酸根SiO44-，焦硅酸根Si2O74-，链三聚硅酸根和环六聚硅酸根。写出链n聚和环n聚多硅酸根的化学式。
(8)画简图表示乙硼烷的结构，并说明其中3中心2电子键的形成过程。
(9)硼砂Na2[B4O5(OH)4]·8H2O是四硼酸的钠盐。试说明通常将硼砂的化学式写成Na2B4O7原因。为什么硼砂溶于水形成缓冲溶液？试计算其pH。
(10)三氟化硼分子是单聚体BF3，同样属于缺电子结构的乙硼烷分子却是B2H6。或者说是二聚的BH3。从结构角度如何解释这种现象？
(11)BiI5和PbI4均不能稳定存在，却有TU3存在，试说明其原因。
(12)试比较乙硼烷、烷烃、甲硅烷三者的热稳定性，写出其受热分解的化学反应方程式。
第9题
A.样品中一定含有KNO₃
B.样品中一定含有Na₂CO₃
C.样品中可能含有Ba（NO₃）₂
D.样品中可能含有Na₂CO₃和KNO₃
第11题
在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。
(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N区和P区的形成。
(2)如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么?
