题目内容
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[单选题]
在使用MOS电容器时,当栅极电压大于开启电压时,由于表面电势升高,如果周围存在电子,并迅速地聚集到电极下的半导体表面处,则称形成了对于电子的()。
A.能带
B.耗尽层
C.势阱
D.反型层
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A.能带
B.耗尽层
C.势阱
D.反型层
第2题
A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
第3题
A.时间内
B.距离内
C.时间空间
D.时间间隔
第5题
A.8m
B.9m
C.10m
D.11m【背景资料】一建筑工程在电梯工程施工中,电梯安装与土建的交接预检记录中主控项目必须符合以上规定:
第8题