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[单选题]

随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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更多“随着PN结反向电压的增加,载流子在势垒区积累的能量增加,会发生雪崩倍增效应,当()时,雪崩倍增因子趋于无穷大,发生雪崩击穿。”相关的问题

第1题

当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()

A.无穷大

B.毫安数量级

C.0mA

D.微安数量级

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第2题

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。()
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第3题

当承受反向电压时,PN结电流是()。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第4题

当承受正向电压时,PN结电流是()。

A.多数载流子形成的

B.近似为零

C.少数载流子形成的

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第5题

放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态,为了使放大器能够正常工作,在静态时晶体三极管的()发射结必须处于正向偏置,集电结必须处于反向偏置。

A.PN结

B.基极

C.发射结

D.发射极

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第6题

以下哪个因素导致NMOSFET阈值电压升高?()

A.源漏电荷分享

B.窄沟道效应

C.漏感应势垒降低效应

D.载流子速度饱和效应

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第7题

PN结加正向电压时,PN结处于()状态。PN结加反向电压时,PN结处于截止状态。

A.连接

B.导通

C.截止

D.段开

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第8题

若复励电动机的串励绕组接错,在电枢电压和并励绕组磁动势都一定时,随着负载转矩的增加,其电枢转速必然下降。()
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第9题

‍二极管在正向偏置条件下,势垒(),耗尽区的宽度()。‏

A.降低;变宽

B.升高;变宽

C.降低;变窄

D.升高;变窄

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第10题

‍随着MOS器件尺寸的缩小,源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽,导致器件的阈值电压()(“升高”或“降低”)。
‍随着MOS器件尺寸的缩小,源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽,导致器件的阈值电压()(“升高”或“降低”)。

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第11题

给PN结加正向电压,即外电源正极接P区。()
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