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[判断题]

绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。（)

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发布时间：2022-08-29

更多“绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。()”相关的问题

第1题

题7.24所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路，设场效应管的夹断电压U_P=2V，饱和漏极

电流I_DSS=2mA，各电容的容抗均可忽略。

(1)求静态工作点和跨导;

(2)画出微变等效电路，并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(3)若C_S=0，重复(2)的计算。

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第2题

场效应管栅极g的功能相对应三极管的集电极c。（)

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第3题

绝缘栅双极型晶体管属于电流控制元件。（)

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第4题

“IGBT”这个英文简称指的是（)。

A.双极型晶体管

B.绝缘栅双极型晶体管

C.可关断晶体管

D.以上说法均不准确

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第5题

场效应管的漏极电流则受栅£源电压直接控制，是一种()控制器件。

场效应管的漏极电流则受栅£源电压直接控制，是一种（)控制器件。

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第6题

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求：驱动放大、电气()、保护IGBT。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)驱动电路一般具备三个基本的要求：驱动放大、电气（)、保护IGBT。

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第7题

在使用MOS电容器时，当栅极电压大于开启电压时，由于表面电势升高，如果周围存在电子，并迅速地聚集到电极下的半导体表面处，则称形成了对于电子的（)。

A.能带

B.耗尽层

C.势阱

D.反型层

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第8题

MOS管的栅极与双极型三极管的（)相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第9题

结型场效应管的文字符号为（)。

A.S

B.D

C.V

D.A

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第10题

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第11题

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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