题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
奥氏体的晶格类型是（)。
A.四方晶格
B.体心立方晶格
C.面心立方晶格
D.密排六方晶格
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（请给出正确答案）
A.四方晶格
B.体心立方晶格
C.面心立方晶格
D.密排六方晶格
答案
更多“奥氏体的晶格类型是()。”相关的问题
第1题
第4题
铝中加入的合金元素溶解在铝晶格中，使晶格发生畸变，造成铝基体强化，这种结构叫以铝为基体的()。
A.化合物
B.固溶体
C.金属间化合物
D.晶体
第7题
铜的密度为8.96g·cm-3,Cu属面心立方晶格,试求
晶胞边长及铜原子半径r(Cu原子量63.5)(见图8-2).
第9题
第10题
B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用
第11题
加入元素溶在铝合金基体相中造成晶格畸变，使基体得到强化，这种强化称为()。
A.时效强化
B.固溶强化
C.变质处理
D.细晶强化
