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（请给出正确答案）
(1)一块硅样品，Nd=1015cm-3，τp=1μs，光照产生率GL=5×1019cm-3·s-1，计算它的电导率和准费米能级．
(2)求产生的空穴浓度为1015cm-3的GL值，它的电导率和费米能级是多少？
答案
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第1题
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
第2题
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
第3题
A.①③
B.②③
C.①④
D.②④
第4题
施主浓度ND=1017/cm-3的n型硅，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲合能取4.05eV。设WAl=4.18eV，WAu=5.20eV，WMo=4.21eV。室温下硅的Nc=2.8x1019cm-3。
第6题
A.10N
B.20N
C.30N
D.40N
第9题
A.Fe5O7
B.Fe3O4
C.Fe4O5
D.Fe2O3
