题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
结晶过程中,晶种适宜的加入位置应该在()。
A.第一介稳区
B.第二介稳区
C.过饱和区
答案
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A.第一介稳区
B.第二介稳区
C.过饱和区
第4题
A.次生晶核的形成
B.ah晶粒的破裂与磨蚀
C.ah晶体的长大
D.ah晶粒的附聚
第7题
第8题
A . 在工艺操作上,控制吸收液中水份蒸发速度和蒸发量
B . 控制溶液的PH值
C . 控制溶液中易于结晶的物质不要过饱和;保持溶液有一定的晶种
D . 严格除尘,控制烟气进入吸收系统所带入的烟尘量
第11题
A.为了尽快的完成熔料步骤,加热功率越大越好
B.停炉过程中,应直接将功率降到0KW,以便尽快降温
C.拉晶过程中,当炉内出现结晶现象时,应加大加热功率
D.等径生长过程中,一直保持加热功率不变,避免温度波动