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[单选题]

根据所测参数的类型,半导体分立器件测量仪器大致可分为()。①直流参数测量仪器②交流参数测量仪器③极限参数测量仪器④晶体管特性图示仪

A.①②③④

B.①②④

C.①②③

D.②③④

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更多“根据所测参数的类型,半导体分立器件测量仪器大致可分为()。①直流参数测量仪器②交流参数测量仪器③极限参数测量仪器④晶体管特性图示仪”相关的问题

第1题

集中监视报警系统按监测点参数类型可分为两种类型的报警系统()。

A.开关量和模拟量

B.连续监测和巡回监测

C.继电接触器和电子器件构成

D.有触点和无触点器件构成的

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第2题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第3题

()正常工作的基本条件是必须向元件提供相应的电源,如果没有电源,器件将无法工作。

A.分立器件

B.集成器件

C.无源元件

D.有源元件

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第4题

()工作时只消耗元件输入信号电能的元件,本身不需要电源就可以进行信号处理和传输。

A.分立器件

B.集成器件

C.无源元件

D.有源元件

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第5题

载流子跃迁前后在()所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙,相应的半导体称为间接能隙半导体。

A.导带底

B.导带顶

C.禁带中

D.禁带外

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第6题

晶体三极管是具有二个PN结的三层半导体器件。()
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第7题

场效应管是在()之后发展起来的一种较特殊的半导体器件。

A.晶体二极管

B.晶闸管

C.晶体三极管

D.达林顿管

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第8题

不能用兆欧表来测量()的绝缘情况。

A.电动机定子绕组与外壳

B.电缆芯线与绝缘层

C.电器设备与其外壳

D.半导体器件

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第9题

下列常见的存储器件或设备中,不属于半导体存储器的是()。

A.内存

B.固态硬盘

C.U盘

D.机械硬盘

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第10题

使用万用表时,必须对所测参数进行估值,从而选择合适的量程。()
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第11题

图题3.4.4是一高输入阻抗交流电压表电路,设运放和二极管均为理想器件,被测电压vi=2Vi
图题3.4.4是一高输入阻抗交流电压表电路,设运放和二极管均为理想器件,被测电压vi=2Visinwt。(1)当vi瞬时极性为正时,标出流过表头M的电流方向,说明哪几个二极管导通;(2)写出流过表头M电流的平均值的表达式;(3)表头的满刻度电流为100μA,要求当Vi=1V时,表头的指针为满刻度,试求满足此要求的电阻R值;(4)若将IV的交流电压表改为IV的直流电压表,表头指针为满刻度时,电路参数R应如何改变?

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