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答案
更多“随着MOS器件尺寸的缩小，源端和反向偏置的漏端结的耗尽区对器件的影响变得重要。由于在栅下的一部分区域已被耗尽，导致器件的阈值电压()(“升高”或“降低”)。”相关的问题
第1题
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
第2题
地铁电动列车下列描述正确的是：
A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控制2台180kW电机
B.列车具有电阻制动和再生制动功能，但当一辆动车中的一个VVVF逆变器单元故障时，该车仍具有电制动功能
C.IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件
D.VVVF装置位于拖车，每车1台
第5题
电路如图题6.4.5所示，其中VDD=5V，Rsi=2千欧，Rg1=60千欧，Rg2=40千欧，Rd=RL=5.1 千欧，MOS管参数为Kn=0.8mA/V2，VTN=1V，λ=0，Cgn=1pF，Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。
第6题
A.MOS值
B.附着成功率
C.VoLTE呼叫接通率
D.eSRVCC切换成功率
第7题
问：当Us1和Us2均不变，仅Is反向，电压Uab为原来的几倍？
第11题
A.馈线是无套管破裂、外表损坏、扭曲变形、遭受破坏等现象
B.接头无生锈和破损、松动现象
C.无源器件与馈线标识是否完整、准确、清晰
D.接头无防水包箍
