重要提示:请勿将账号共享给其他人使用,违者账号将被封禁!
查看《购买须知》>>>
首页 > 继续教育
网友您好,请在下方输入框内输入要搜索的题目:
搜题
拍照、语音搜题,请扫码下载APP
扫一扫 下载APP
题目内容 (请给出正确答案)
[主观题]

偶极距为 P的偶极子处在外电场E中,(1)求偶极子的电势能[即偶极子(作为系统1)与激发外场的电荷(

偶极距为 P的偶极子处在外电场E中,(1)求偶极子的电势能[即偶极子(作为系统1)与激发外场的电荷(

偶极距为 P的偶极子处在外电场E中,

(1)求偶极子的电势能[即偶极子(作为系统1)与激发外场的电荷(作为系统2)之间的互能],约定偶极子在无限远时的电势能为零,

(2)P与E的夹角为何值时偶极子的电势能最小?其值是多少?

(3) p与E的夹角为何值时偶极子的电势能最大?其值是多少?

偶极距为 P的偶极子处在外电场E中,(1)求偶极子的电势能[即偶极子(作为系统1)与激发外场的电荷(

答案
查看答案
更多“偶极距为 P的偶极子处在外电场E中,(1)求偶极子的电势能[即偶极子(作为系统1)与激发外场的电荷(”相关的问题

第1题

在长为50cm,相距为1cm的两个带电平行板间的电场是均匀电场(场强方向竖直向上),将一电子从P点(

在长为50cm,相距为1cm的两个带电平行板间的电场是均匀电场(场强方向竖直向上),将一电子从P点(与上下板等距离)一初速度v=107m/s水平射入电场(见附图)。若电子恰在下板由侧离开电场,求该均匀电场的大小。(忽略边缘效应,认为板外场强为零,且略去重力对电子运动的影响)

点击查看答案

第2题

药物与作用靶标之间的一种不可逆的结合形式,作用强而持久,很难断裂,这种键合类型是()

A.共价键键合

B.范德华力键合

C.偶极-偶极相互作用键合

D.疏水性相互作用键合

E.氢键键合

点击查看答案

第3题

选出正确的说法:()

A.电位为零处,电场强度也为零。

B.电位为零的物体必然不带电,带正电的物体电位必是正的。

C.静电场中两点之间的电位差,与零电位点的选择无关。

D.电位与电场强度一样,是表征电场本身某一点性质的,与引入电场中的外电荷无关。

点击查看答案

第4题

图9.6为一简谐波在t=0时刻的波线曲线,设此简谐波的频率为250Hz,图中质点p正向上运动,求: (1)
图9.6为一简谐波在t=0时刻的波线曲线,设此简谐波的频率为250Hz,图中质点p正向上运动,求: (1)

图9.6为一简谐波在t=0时刻的波线曲线,设此简谐波的频率为250Hz,图中质点p正向上运动,求:

(1)此简谐波的波函数;

(2)在距原点O为7.5m处质点振动的表达式和t=0时质点的振动速度。

点击查看答案

第5题

设随机变量X的分布函数为(1)试确定F(x)中的常数a,b,c,d的值;(2)求P{|X|≤e/2}。
设随机变量X的分布函数为(1)试确定F(x)中的常数a,b,c,d的值;(2)求P{|X|≤e/2}。

设随机变量X的分布函数为

(1)试确定F(x)中的常数a,b,c,d的值;

(2)求P{|X|≤e/2}。

点击查看答案

第6题

关于电场有如下观点(1)通过一个封闭面的电场强度通量为零,则此封闭面上的电场强度必为零。(2)如果高斯面上的电场强度E处处不为零,则该高斯面内必有电荷。(3)如果高斯面上的电场强度E处处为零,则该高斯面内必无电荷。(4)电荷在高斯面内运动,则通过该高斯面的电场强度通量将随之变化。请选择:()

A.观点(1)正确

B.4种观点都不正确

C.观点(3)正确

D.观点(4)正确

点击查看答案

第7题

两根平行的无限长带电直线,相距为d,电荷密度为λ,在与它们垂直的平面内有一点P,P与两直线的垂足成等边三角形,则点P的电场强度大小为()
两根平行的无限长带电直线,相距为d,电荷密度为λ,在与它们垂直的平面内有一点P,P与两直线的垂足成等边三角形,则点P的电场强度大小为()

点击查看答案

第8题

组合配置试样时,试样和中间钢拉板的对称轴和试验机承载板中心轴处在同一垂直面上,精度应为()的试件短边尺。

A.小于2%

B.不小于2%

C.小于1%

D.不大于1%

E.不小于5%

点击查看答案

第9题

一个半径为R的导体球带电为q,导体球外有一层相对电容率为εr,的均匀电介质球壳其厚度为d,电介质球壳外面为真空,充满了其余空间。求:(1)该导体球储存的电场能量; (2)电介质中的电场能量。
一个半径为R的导体球带电为q,导体球外有一层相对电容率为εr,的均匀电介质球壳其厚度为d,电介质球壳外面为真空,充满了其余空间。求:(1)该导体球储存的电场能量; (2)电介质中的电场能量。

点击查看答案

第10题

图中所示为电子波干涉实验示意图,S为电子束发射源,发射出沿不同方向运动的电子,F为极细的带强正
电的金属丝,电子被吸引后改变运动方向,下方的电子折向上方,上方的电子折向下方,在前方交叉区放一电子感光板A,S1、S2分别为上、下方电子束的虚电子源,S1S=SS2,底板A离源S的距离为D,设D>>a,电子的动量为p,试求:

(1)电子几率密度最大的位置;

(2)相邻暗条纹的距离(近似计算)。

点击查看答案

第11题

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示,试问:(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?(2) 它的夹断电压V

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示,试问:

(1) 它是N沟道还是P沟道的FET?

(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少?

点击查看答案
下载APP
关注公众号
TOP
重置密码
账号:
旧密码:
新密码:
确认密码:
确认修改
购买搜题卡查看答案 购买前请仔细阅读《购买须知》
请选择支付方式
  • 微信支付
  • 支付宝支付
点击支付即表示同意并接受了《服务协议》《购买须知》
立即支付 系统将自动为您注册账号
已付款,但不能查看答案,请点这里登录即可>>>
请使用微信扫码支付(元)

订单号:

遇到问题请联系在线客服

请不要关闭本页面,支付完成后请点击【支付完成】按钮
遇到问题请联系在线客服
恭喜您,购买搜题卡成功 系统为您生成的账号密码如下:
重要提示:请勿将账号共享给其他人使用,违者账号将被封禁。
发送账号到微信 保存账号查看答案
怕账号密码记不住?建议关注微信公众号绑定微信,开通微信扫码登录功能
请用微信扫码测试
优题宝