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[主观题]

一个pn结二极管具有下列参数:ND=1016cm-3,NA=5×1018cm-3,τn=τp=1μs,A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自

一个pn结二极管具有下列参数:ND=1016cm-3,NA=5×1018cm-3,τnp=1μs,A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s),n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。

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更多“一个pn结二极管具有下列参数:ND=1016cm-3,NA=5×1018cm-3,τn=τp=1μs,A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自”相关的问题

第1题

二极管的核心是只具有一个PN结,所以二极管具有单向导电性()

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第2题

PN结具有一个显著的特点是,正是利用该特点,所以将其制作成普通的二极管()。

A.击穿特性

B.掺杂特性

C.单向导电性

D.频率特性

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第3题

关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第4题

二极管内部结构实质就是一个PN结()
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第5题

半导体二极管实质上就是一个PN结,它具有的特性是()导电性。
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第6题

在一块N型Si衬底上,通过离子注入方式形成一个PN结二极管,其纵向剖面如下图所示。

(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌,即P区、N区和P区的形成。

(2)如果制作小尺寸的PN结二极管,采用负胶还是正胶,为什么?

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第7题

三极管()两个PN结的简单组合,它()用两个二极管代替。
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第8题

二极管的最主要特性是()PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
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第9题

二极管测量时主要看它们的PN结正反向阻值的大小,是否符合()。
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第10题

把两个PN结做在一起,这两个互有影响的PN结构成的半导体器件称为()

A.晶闸管

B.二极管

C.三极管

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第11题

二极管由1个PN结,1个管壳和2个电极引线构成。()
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