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更多“边缘场电容模型可以把一根导线与衬底之间的电容模拟为一个平板电容与一个边缘电容之和。其中将边缘电容模拟成一条()型导线，其直径等于该导线的厚度。”相关的问题
第1题
A.若一个分布模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时(电压从0变化到50%)等于0.38RC
B.当分析导线的寄生效应时，先把每段导线的总导线电阻集总成一个电阻R，然后把总的电容合并成一个电容C，把这样的简单模型称为集总RC模型
C.若一个集总模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时(电压从0变化到50%)等于0.69RC
D.对于短互连线的寄生效应来说，使用集总模型不再精确，因此比较合适的方法是用分布rc模型来代替
第2题
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.30mm
第4题
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第11题
A.此分压器与周围接地或带电物体之间存在杂散电容
B.此分压器没有对地杂散电容的影响
C.此分压器很容易配接准确的低压臂电容
的无限长直导线置于大介质板（介电常数
）表面上，如题1图所示，则在介质表面上任一点，介质外侧的电场强度
与介质内部的电场强度
相比（）
