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[判断题]

本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（)

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发布时间：2022-10-19

更多“本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。()”相关的问题

第1题

纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是()和()。

纯净半导体称为本征半导体，本征半导体中载流子分别是（)和（)。

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第2题

本征半导体，是指化学成分纯净的、具有共价键结构的单晶体半导体材料。（)

此题为判断题(对，错)。

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第3题

本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（)。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第4题

半导体中的光吸收，主要有以下哪几种？（)

A.本征吸收

B.自由载流子吸收

C.杂质吸收

D.激子吸收

E.谷间跃迁吸收

F.D-A对吸收

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第5题

在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10¹⁵cm^-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10¹⁶cm^-3的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第6题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第7题

以下关于杂质的描述正确的是()。

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

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第8题

关于半导体的热导率，以下说法正确的是？（)

A.半导体中热传导绝大部分是声子的贡献

B.声子对热传导率的贡献实质上就是格波之间的散射过程的贡献

C.半导体的热导率与电导率之间存在某种联系

D.通过双极扩散的机构，电子和空穴共同将能量从高温端运载到低温端

E.半导体的热导率是由载流子的运动和声子的运动两种机构决定的

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第9题

1995年()公司演示了第一个MRAM芯片，并生产出了1MB的芯片原型。后来的飞思卡尔半导体就是由该公司的芯片部门独立出来的。

1995年（)公司演示了第一个MRAM芯片，并生产出了1MB的芯片原型。后来的飞思卡尔半导体就是由该公司的芯片部门独立出来的。

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第10题

在进行ATI系统维修时，确认本装置处于无电源状态。当外加电源状态下装卸接插件时，会因发生浪涌电压而损坏半导体。此题为判断题(对，错)。

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第11题

AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)

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