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试从处方设计与生产工艺两个方面说明解决Vc注射液氧化降解的措施。
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第1题
第3题
第4题
G为矩形波，电路中L、C为储能元件，D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知V1的大小和vG的波形，画出在vG作用下，在整个开关周期ic连续情况下vD、vDS、vL、iL和v0的波形，并说明v0与v1极性相反。
第5题
合成与制备：
(1)用化学反应方程式表示从海水提取溴的过程。
(2)用化学方法制备单质F，的步骤是
①在HF，KF存在下，用KMnO4氧化H2O2，制备K2MnF6;
②SbCl5和HF反应制备SbF5;
③K2MnF6和SbF5反应制得MnF4;
④不稳定的MnF4分解成MnF3和F2。
试写出以上各步的反应方程式。
(3)工业生产中以KCl为原料制备KClO和KClO3，试用化学反应方程式表示。
(4)以KBr为主要原料制备KBrO4，试用化学反应方程式表示。
(5)试说明实验室中制备SnCl4和AH3的方法，并写出化学反应方程式。
(6)试说明以TiO2和Cl2为主要原料制备TiCl4的具体方法，并写出化学反应方程式。
(7)工业上电解冷的NaCl稀溶液生产NaClO3试说明其过程并写出化学反应方程式。
第9题
简要回答下列问题：
(1)拟将下列离子转化为碳酸正盐，试说明怎样选择沉淀剂，并写出反应方程式：
(2)从二氧化硅氯化制备SiCl4，需要和焦炭共热进行反应的耦合：
而用HF对二氧化硅进行氟化制备SiF4则不需要反应的耦合：
(3)Pb与稀盐酸反应，速率很慢且反应会停止;但与浓盐酸作用时，反应容易进行。试给出合理解释。
(4)从H3BO3显酸性的机理去说明为什么H3BO3是一元弱酸。
(5)试解释下列无机含氧酸的氧化性由强到弱的原因：
HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3
(6)为什么硅不与氧化性酸反应，但又可溶于HNO3及HF混合溶液中？
(7)用平面图示的方法表示单聚硅酸根SiO44-，焦硅酸根Si2O74-，链三聚硅酸根和环六聚硅酸根。写出链n聚和环n聚多硅酸根的化学式。
(8)画简图表示乙硼烷的结构，并说明其中3中心2电子键的形成过程。
(9)硼砂Na2[B4O5(OH)4]·8H2O是四硼酸的钠盐。试说明通常将硼砂的化学式写成Na2B4O7原因。为什么硼砂溶于水形成缓冲溶液？试计算其pH。
(10)三氟化硼分子是单聚体BF3，同样属于缺电子结构的乙硼烷分子却是B2H6。或者说是二聚的BH3。从结构角度如何解释这种现象？
(11)BiI5和PbI4均不能稳定存在，却有TU3存在，试说明其原因。
(12)试比较乙硼烷、烷烃、甲硅烷三者的热稳定性，写出其受热分解的化学反应方程式。
第11题
A.工程变更与工程索赔是同一体中的两个方面
B.变更为事前发出，索赔为事后提出
C.变更为按工作程序办事，索赔为依法解决
D.变更接受方可以协商后执行
