题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
以下各项与理想MOS平带电容无关的是（)。
A.温度
B.掺杂浓度
C.氧化层厚度
D.非本征德拜长度
答案
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题目内容
（请给出正确答案）
A.温度
B.掺杂浓度
C.氧化层厚度
D.非本征德拜长度
答案
更多“以下各项与理想MOS平带电容无关的是()。”相关的问题
第1题
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第2题
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
第4题
根据电容器电容的定义式C=Q/U可知，以下说法正确的是（）。
A.电容器带电的电量越多，它的电容就越大，电容与电量成正比
B.电容器不带电时，其电容为零
C.电容器两极间的电压越高，它的电容就越小，电容与电压成反比
D.电容器的电容大小与电容器的Q、U值无关
第5题
如图4-3所示，有一个平行板电容器，所带的电量为Q，两板问的电势差为U．现在向电容内插入一块厚介质板，插入后电容器上（） A．Q不变，U改变 B．Q不变，U也不变 C．Q改变，U不变 D．Q改变，U也改变
第8题
设D是z平面上介于直线x-γ=0与x-y+π/
)=0之间的带形域,试求把D映为w平面上的单位圆的一个共形映射.
第9题
A.被录取的大多数大学生的实际水平与他们的考分是基本相符的。
B.存在落榜的考生，他们有较高的实际水平。
C.存在被录取的考生，他们并无合格的实际水平。
D.无合格的实际水平的考生被录取，是考场舞弊所致。
E.目前，没有比高考更能使人满意的招生制度。
第10题
设Q(x,y)在xy平面上具有连续偏导数，曲线积分
与路径无关，并且对任意t恒有
求Q(x,y)。
第11题
A.电位为零处，电场强度也为零。
B.电位为零的物体必然不带电，带正电的物体电位必是正的。
C.静电场中两点之间的电位差，与零电位点的选择无关。
D.电位与电场强度一样，是表征电场本身某一点性质的，与引入电场中的外电荷无关。
